「香港飛龍」標誌 本文内容： 如果您希望可以時常見面，歡迎標星收藏哦~來源：內容編譯自semiconductor-digest 。僅在2024年，半導體芯片的產量就達到了驚人的1萬億顆，相當於地球上每個人擁有100顆芯片。這一數字背後，是一箇行業正在競相突破半導體的物理極限，以提供更高的性能，滿足先進人工智能、高效邊緣計算以及智能手機和其他智能設備高端化帶來的日益增長的需求。如今的智能設備比其前代產品擁有更多功能，尤其是在人工智能 (AI) 興起的背景下。這得益於閃存中的 3D NAND等技術 ，這些技術將存儲器層像摩天大樓一樣垂直堆疊，互連必須快速、精確且無缺陷。爲了滿足更高的性能要求，芯片製造領域正在經歷變革——金屬化——即在芯片上沉積薄金屬層以形成電路的工藝。從創建複雜的圖案，到存儲字線，再到邏輯觸點，逐原子沉積金屬對於製造先進芯片至關重要。然而，隨着層數的增加和字線連接（即與存儲單元的“線”連接）的縮短，電阻和可靠性成爲瓶頸。鎢正面臨同樣的困境，在過去的25年裏，鎢一直是互連的主要材料。但隨着芯片結構日益複雜，尤其是3D NAND和DRAM的發展，鎢的性能已達到極限。隨着我們進入人工智能時代，鉬這種金屬將推動先進芯片製造的下一個飛躍。鉬優於鎢，並具有三大關鍵突破：納米級電阻率低於鎢消除阻擋層，減少製造工藝步驟隨着設備縮小和層數增加，可擴展性更好這些優勢轉化爲更快的芯片、更高的產量和更高效的生產——所有這些對於利用 NAND、DRAM 和邏輯芯片三大主要部分的從智能手機到服務器的下一代設備都至關重要。儘管鉬具有諸多優勢，但迄今爲止，它尚未在金屬化工藝中使用，因爲原子層沉積 (ALD) 方法尚未開發出滿足鉬金屬化要求的方法。具體而言：固體前驅體輸送 – 用於原子層沉積 (ALD) 鉬的前驅體（或源材料）爲固體形式。需要進行硬件開發，以使用固體前驅體並將其轉換爲適用於原子層沉積 (ALD) 的模塊。特徵內沉積——NAND、 DRAM和邏輯器件需要各種形式的沉積 。具體而言，NAND 需要原子層沉積，以共形方式沉積在垂直和水平字線 (WL) 結構中。邏輯器件應用可能需要低溫沉積以及選擇性生長。工程低電阻——爲了實現低電阻，鉬的晶粒尺寸以及與相鄰金屬和介電材料的界麪條件至關重要。爲了實現最低電阻，需要先進的原子層沉積 (ALD) 技術以及硬件開發。半導體精品公衆號推薦專注半導體領域更多原創內容關注全球半導體產業動向與趨勢*免責聲明：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅爲了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯繫半導體行業觀察。今天是《半導體行業觀察》爲您分享的第4037期內容，歡迎關注。『半導體第一垂直媒體』實時 專業 原創 深度公衆號ID：icbank喜歡我們的內容就點“在看”分享給小夥伴哦 (本文内容不代表本站观点。) --------------------------------- |
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